電磁干擾基本概念 插播信息 維庫新熱芯片： OPAKU LMN ICS SA BCMKFB EPFATI-2 SNJ54LS38J HA2--2 CY7C-15AC LMDT-ADJ 復(fù)雜電磁環(huán)境任何電及電氣產(chǎn)品除本身能夠承受定外電磁干擾（Electrognetic InterferenceEMI）保持工作外其電及電氣設(shè)備產(chǎn)承受電磁干擾該產(chǎn)品即具電磁兼容性（Electrognetic CompatibilityEMC）[1] 21世紀(jì)信息代信息產(chǎn)、傳遞、接收、處理儲存等都需要依賴電磁波作載體廣義說聲波、線電波、光波均作信息載體廣義電磁兼容性概念應(yīng)拓展聲、光、電廣闊領(lǐng)域 電及電氣產(chǎn)品電磁干擾發(fā)射或受電磁干擾侵害都通產(chǎn)品外殼、交／直流電源端口、線、控制線及線形按照EMI傳播式其電磁輻射干擾電磁傳導(dǎo)干擾兩類通輻射干擾現(xiàn)產(chǎn)品周圍媒體傳導(dǎo)干擾則現(xiàn)各種導(dǎo)體般說通外殼發(fā)射電磁干擾或通外殼侵入干擾都輻射干擾通其導(dǎo)體發(fā)射入侵干擾屬于傳導(dǎo)干擾 2 類必須關(guān)注電磁兼容問題 20世紀(jì)葉電技術(shù)迅猛發(fā)展使類社進步文明新臺階給帶系列社問題環(huán)境問題家用電器、通信、計算機及信息設(shè)備、電工具、、等工業(yè)、科技、醫(yī)等各領(lǐng)域自控制、測量儀器及電力電系統(tǒng)等廣泛普及、應(yīng)用深入千家萬戶使電磁污染問題益突電設(shè)備高頻化、數(shù)字化干擾能量密度增使限空間內(nèi)電磁環(huán)境更惡化 3月本SAPIO公布本家用電器電磁輻射檢測結(jié)（表1）瑞典等北歐三于所作聯(lián)合調(diào)查指：類受2mG（毫高斯）電磁輻射影響患白血病機2.1倍患腦腫瘤機1.5倍其疾病發(fā)病概率明顯增加 3 EMI抑制技術(shù)主要內(nèi)容[3] 3.1 抗EMI系統(tǒng)設(shè)計技術(shù) 抗EMI系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)提高電整機EMC性能關(guān)鍵所該技術(shù)稱EMC設(shè)計技術(shù) EMC設(shè)計目使電、電氣產(chǎn)品定電磁環(huán)境能工作既滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定抗干擾極限值要求受定電磁干擾性能降級或故障；滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定電磁輻射極限值要求電磁環(huán)境構(gòu)污染源EMC產(chǎn)品重要性能實現(xiàn)產(chǎn)品效能重要保證 EMC設(shè)計要產(chǎn)品預(yù)期電磁環(huán)境、干擾源、耦合途徑敏部件入手采用相應(yīng)技術(shù)措施抑制干擾源、切斷或削弱耦合途徑增強敏部件抗干擾能力等并進行計算機仿真測試驗證 EMC設(shè)計技術(shù)包括系統(tǒng)設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料元器件選取及抗EMI元器件使用等其源器件選用十關(guān)鍵 EMC設(shè)計技術(shù)產(chǎn)品設(shè)計初級階段應(yīng)十重視盡能80%～90%問題解決初級階段旦產(chǎn)品批量產(chǎn)發(fā)現(xiàn)EMC問題再解決事倍功半 3.2 EMI抑制材料技術(shù) 3.2.1 屏蔽材料 屏蔽利用材料反射/或吸收作用減少EMI輻射屏蔽材料效填置減少或清除必要縫隙抑制電磁耦合輻射降低電磁泄漏干擾具較高導(dǎo)電、導(dǎo)磁性能材料作電磁屏蔽材料般要求屏蔽性能達40～60dB目前用屏蔽材料金屬材料高材料兩類 金屬材料按用途襯墊屏蔽材料透氣性屏蔽材料兩種任何實用機箱都縫隙由于縫隙導(dǎo)電連續(xù)性該處即產(chǎn)電磁泄漏解決辦非永久性搭接處加電磁密封襯墊金屬絲網(wǎng)襯墊、導(dǎo)電橡膠襯墊、鈹銅指形簧片、螺旋管襯墊及橡膠芯襯墊＋金屬絲網(wǎng)等任何機箱散熱透氣往往孔引發(fā)電磁泄漏用金屬絲網(wǎng)難達完全屏蔽效需采用波導(dǎo)窗、層截止波導(dǎo)通風(fēng)板泡沫金屬等改善屏蔽效由銅或鎳及連通空洞組、空金屬骨架互連三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)金屬泡沫作屏蔽材料10～MHz范圍內(nèi)屏蔽性能達90dB且重量輕、體積前途屏蔽材料 高材料主要包括導(dǎo)電塑料、導(dǎo)電涂料表面導(dǎo)電材料外導(dǎo)電玻璃導(dǎo)電膜片；與金屬材料相比具重量輕、易型、電阻率調(diào)等特點導(dǎo)電塑料導(dǎo)電物質(zhì)碳黑、金屬粉或金屬纖維摻雜于樹脂制屏蔽性能達30～80dB；導(dǎo)電涂料通由Ag、Ni、Cu或C導(dǎo)電物質(zhì)作填料與合樹脂、溶劑添加劑起涂覆于塑料表面形固化膜產(chǎn)導(dǎo)電屏蔽效性能20～60dB等；表面導(dǎo)電屏蔽材料般采用金屬熔射、塑料電鍍、真空蒸發(fā)、貼金屬箔等手段使絕緣材料表面形導(dǎo)電層鍍層薄2～5μm屏蔽性能達45～dB甚至更高 3.2.2 吸波材料 吸波材料主要功能干擾源所產(chǎn)電磁輻射能量轉(zhuǎn)化其能量（主要熱能）耗散掉根據(jù)損耗機理同電阻型、電介質(zhì)型磁介質(zhì)型三類［4］ 電阻型吸波材料主要碳精粉、石墨SiC等吸波能力主要取決于材料電阻率由于種材料吸收層厚度t與電磁波λ比通t＝0.6λ故適合于高頻段若MHz應(yīng)用材料厚度需達1.8m 電介質(zhì)型吸波材料BaTiO2、鐵電陶瓷等高介電材料能量衰減主要自介電損耗介電損耗與頻率依賴關(guān)系較強故吸收頻帶窄且本高應(yīng)用受定限制 磁介質(zhì)型吸波材料主要鐵氧體利用鐵氧體獨特復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率產(chǎn)磁損耗機理吸收電磁波本低廉所目前應(yīng)用廣泛其MnZn鐵氧體EMI抑制材料主要用于低頻NiZn鐵氧體EMI抑制材料主要用于高頻羰基鐵、鐵基、鎳基磁介質(zhì)則電流情況應(yīng)用解決鐵氧體磁芯磁飽問題 3.3 EMI抑制元器件技術(shù) 3.3.1 源器件與應(yīng)用 應(yīng)用源器件要重點關(guān)注其電磁干擾發(fā)射電磁敏度兩項技術(shù)指標(biāo)源模擬器件敏度取決于靈敏度帶寬靈敏度器件固噪聲基礎(chǔ)；邏輯器件靈敏度取決于直流噪聲容限噪聲抗擾度源器件兩種電磁發(fā)射源：傳導(dǎo)干擾輻射干擾傳導(dǎo)干擾通電源線、接線互連線進行傳輸并隨頻率增高增；輻射干擾通器件本身或連線向外發(fā)射并隨頻率平增瞬態(tài)電流述兩種干擾初始源良接各種耦式減電流主要手段 邏輯器件翻轉(zhuǎn)速度快所占頻譜越寬保證功能前提追求響應(yīng)速度數(shù)字電路干擾頻譜寬電電氣設(shè)備重要干擾源其電磁輻射共模差模兩種形式工作頻率越高輻射能量越；電平越高輻射干擾越強控制差模輻射必須印制電路板線、電源線線緊靠起減少路；控制共模輻射使用柵網(wǎng)線或平面接等良接式采用共模扼流圈 3.3.2 抗EMI器件與應(yīng)用 具良屏蔽接措施電、電氣產(chǎn)品仍電磁干擾應(yīng)合理選用抗EMI元器件抗EMI器件種類濾波壓縮干擾頻譜基本手段抗EMI濾波器EMC技術(shù)基礎(chǔ)元器件功能獨特、門類繁僅舉幾例 (1) 線濾波器 類用于線低通濾波器用濾除高頻干擾主要線路板濾波器、屏蔽殼體饋通濾波器連接器濾波器、濾波器陣列板等通由EMI磁芯電容器組π型或L型濾波網(wǎng)絡(luò) (2) EMI抑制器 抗EMI鐵氧體重要參數(shù)磁導(dǎo)率μ飽磁通密度Bsμ表示復(fù)數(shù)實數(shù)部表征電虛數(shù)部構(gòu)磁損耗其等效電路由電L電阻R組L、R均頻率函數(shù)低頻RL起主要作用電磁干擾反射受抑制；高頻R增電磁干擾吸收并轉(zhuǎn)換熱能類EMI抑制器實際種低通濾波器目前已廣泛用于印制板、電源線線抑制高頻干擾尖峰干擾具吸收靜電放電脈沖能力 (3) 電源線濾波器 電源線電磁干擾入電、電氣設(shè)備主要通道電源線濾波器允許電源頻率通高于電源頻率干擾受衰減抑制由于火線、零線路干擾差模干擾火線、零線與線路干擾共模干擾電源線濾波器兩種干擾濾波器效同所往往需要區(qū)別待 3.4 EMI測試技術(shù) 嚴(yán)格按照際、內(nèi)相關(guān)EMC標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)整機、部件、元器件材料進行EMI測試、驗證EMC技術(shù)創(chuàng)新關(guān)鍵前久海建華東區(qū)第按90代新工藝、新標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計EMC實驗室采用高性能鐵氧體吸波材料組裝微波暗室及系列屏蔽實驗室電產(chǎn)品靜電、脈沖、浪涌、磁場、諧波、傳導(dǎo)發(fā)射等EMC技術(shù)指標(biāo)進行測量、*估[5]解決EMC測試問題才能更展電、電氣產(chǎn)品科研、產(chǎn)、、應(yīng)用、服務(wù)同IT產(chǎn)品進口業(yè)務(wù)實施效監(jiān)督想解更加詳細技術(shù)參數(shù)百度搜硬城解自瞎琢磨專業(yè)解決專業(yè)問題都現(xiàn)實
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