安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體新品,⑴安森美10月31日宣布推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。⑵該產(chǎn)品采用GaN-on-GaN技術(shù),使電流能夠垂直流過芯片而非橫向流動(dòng)。⑶這一技術(shù)方案可降低能量損耗和熱量產(chǎn)生,損耗減少近50%。⑷目前公司已向早期客戶提供700V和1200V器件樣品
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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